[VANQ]

Через Юлу нашел трех продавцов. Планка на 4 Гб. Ответили двое. Но взяв первую, я проверил только сам объем и лоханулся не проверил тайминги и частоту. Хотя система загружалась значительно медленней, должен был обратить на это внимание, но списал всё на работу от аккумулятора (проверяли на улице). Частота упала с 800 до 533. Оставлю все равно эту планку про запас и для экспериментов. К сожалению, фото пока нет (Samsung).

Второй раз уже нормально проверил, да и планка чуть дороже. Именно то, что нужно. Тайминги, частота совпадают. Скорость работы ноута увеличилась и заметно. Включается быстрее, запуск программ и открытие файлов и папок быстрее немного.

Скрытый текст:

--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------

[ DIMM1: Kingmax FSGF65F-D8KLB ]

Свойства модуля памяти:
Имя модуля Kingmax FSGF65F-D8KLB
Серийный номер 00000DD3h (3540844544)
Дата выпуска Неделя 7 / 2016
Размер модуля 4 ГБ (1 rank, 8 banks)
Тип модуля SO-DIMM
Тип памяти DDR3 SDRAM
Скорость памяти DDR3-1600 (800 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля 1.5 V
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Норма (7.8 us)

Тайминги памяти:
@ 800 МГц 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-208-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 761 МГц 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-199-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 685 МГц 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-179-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 МГц 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-159-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 МГц 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-139-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 МГц 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-119-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 МГц 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-100-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)

Функции модуля памяти:
Auto Self Refresh (ASR) Поддерживается
DLL-Off Mode Поддерживается
Extended Temperature Range Поддерживается
Extended Temperature 1X Refresh Rate Не поддерживается
Module Thermal Sensor Не поддерживается
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Не поддерживается
Partial Array Self Refresh (PASR) Не поддерживается
RZQ/6 Поддерживается
RZQ/7 Поддерживается

Производитель модуля памяти:
Фирма KINGMAX Technology Inc.
Информация о продукте http://www.kingmax.com/en-global/pro.../memory_module

[ DIMM3: SK hynix HMT351S6CFR8C-PB ]

Свойства модуля памяти:
Имя модуля SK hynix HMT351S6CFR8C-PB
Серийный номер 0191CEE2h (3805188353)
Дата выпуска Неделя 32 / 2012
Размер модуля 4 ГБ (2 ranks, 8 banks)
Тип модуля SO-DIMM
Тип памяти DDR3 SDRAM
Скорость памяти DDR3-1600 (800 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля 1.5 V
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Норма (7.8 us)
Производитель DRAM SK hynix

Тайминги памяти:
@ 800 МГц 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-128-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 761 МГц 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-122-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 685 МГц 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-110-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 МГц 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-98-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 МГц 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-86-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 МГц 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-74-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 МГц 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-61-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)

Функции модуля памяти:
Auto Self Refresh (ASR) Поддерживается
DLL-Off Mode Поддерживается
Extended Temperature Range Поддерживается
Extended Temperature 1X Refresh Rate Не поддерживается
Module Thermal Sensor Не поддерживается
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Не поддерживается
Partial Array Self Refresh (PASR) Не поддерживается
RZQ/6 Поддерживается
RZQ/7 Поддерживается

Моя

Скрытый текст:

Купил

Скрытый текст: